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我们专注于
先进的功率半导体国产化

  成都sunbet 有限公司(以下简称“sunbet ”)成立于2017年7月,先后被认定为成都市高新区雏鹰企业、成都市集成电路设计企业、国家高新技术企业,专注于先进功率半导体器件的国产化。

sunbet 核心技术团队由清华大学和中国科学院的平台.官网.app.开户.18.注册.28.登录入口.38.娱乐.网址.下载.下注.娱乐平台.网页版.购彩.官方版.直播.游戏平台.官方网址.cc.为什么打不开了.最新.外围网站.www.平台靠谱吗.地址.手机版下载.主站.投注平台.开头.体育赛事.线路检测.电脑版.平台怎么样.投注.客户端下载.苹果版下载.IOS.技巧.网址多少.88.备用.如何.78.在哪.哪里.主管.100.在哪.98.安卓.68.客服.58多少.最新.最大的.48.赌.登入.首页.集团.彩金,长期专注于功率半导体器件研发,深耕IGBT芯片技术和产业化10年以上,累计取得(包含正在注册中的专利数)相关技术专利30多项,成功开发不同电压等级和应用场景的芯片超过100款,是国内产品线覆盖最广的IGBT功率半导体公司之一。sunbet 的芯片产品全面采用沟槽栅+场截止技术,并已应用于工业变频、特种电源、感应加热、新能源发电以及新能源车等多个市场领域。

sunbet 现有技术团队近30人,以清华大学、中国科学院、四川大学、电子科技大学等高校毕业的博士和硕士研究生组成国内IGBT芯片高水平研发和产业化人才团队,其中博士研究生5人,70%研发人员具有硕士学位,形成了初具规模的研发人才梯队。 器件团队工艺技术积累来自多年在晶圆生产线的一线工作经验,不仅熟悉国内各条晶圆线的工艺条件 ,而且在日本有多年的先进工艺开发经验, 应用团队在中央企业具有超过十年的IGBT应用开发经验, 对IGBT在终端场景的实际应用具有深入的理解。

10

10年以上
IGBT研发经验

30

累计取得
30多项技术专利

100

成功开发
超百款IGBT产品

发展历程
  • 超高密度IGBT、SiC功率器件
    2022
  • 高密度、高频、高压IGBT
    2020
  • 第七代IGBT技术发布
    2019
  • 600-1700V IGBT 系列化
    2018
  • 成都sunbet 有限公司成立
    2017
  • 首颗定制化1200V/100A IGBT
    2016
  • 首颗Trench-FS  IGBT
    2015
  • 首颗Trench-NPT  IGBT
    2014
  • 首颗Planar-FS IGBT
    2013
  • 组建技术团队
    2012
企业文化
功率半导体领域领航者

企业愿景

致力于成为国际一流的功率半导体行业引领者

核心价值观

专业  创新  诚信  共赢
自主知识产权 IIPR
sunbet 拥有多项核心专利,自主研发IGBT系列芯片处于国内领先水平。公司对产品设计和品质严苛追求,不断丰富完善产品系列,为客户提供稳定、专业、高效的解决方案,满足不同领域的客户需求。
截止2022年,公司团队已申请IGBT相关专利超过30项,其中发明专利授权近20项。
合作伙伴
业务分布
sunbet 业务覆盖地域由四川、广东逐渐分布至上海、浙江、南京、西安、武汉、山东等地,出口至韩国、日本、新加坡等国家,已成为中国领先的IGBT产品及方案供应商。